Физические основы работы полупроводниковых компонентов и их модели

Физические основы работы полупроводниковых компонентов  и их модели
Только для организаций
Автор: 
Зайнуллин Р. Р., Синицин А. М., Потапов А. А., Калимуллин Р. И., Уланов В. А.
Вид издания: 
Учебное пособие
Год: 
2022
Издательство: 
КГЭУ
ISSN/ISBN: 
отсутствует
ББК: 
32.853.1
УДК: 
621.315.592
Правообладатель (©): 
ВУЗ
Каталоги: 
Название направление:
11.03.04 Электроника и наноэлектроника
Направленность/специализация/профиль (код, название):
«Промышленная электроника»
Кафедра:
Промышленная электроника и светотехника
Ключевые слова:
Полупроводниковые компоненты, физические основы работы, модели процессов переноса, модели полупроводниковых диодов, биполярные транзисторы, полевые транзисторы, тиристоры

Рассмотрены физические основы и принципы работы дискретных полупроводниковых компонентов электроники. Описаны их физико-математические модели и основные схемы включения. Приведены различные способы расчета базовых узлов аналоговой электроники, построенных с использованием изучаемых полупроводниковых приборов.

 

Физические основы работы полупроводниковых компонентов и их модели : учебное пособие / составители: Р. Р. Зайнуллин, А. М. Синицин, А. А. Потапов [и др.]. – Казань : КГЭУ, 2022. – 158 с.